सौर स्ट्रीट लाइट के फोटोवोल्टिक प्रभाव के बुनियादी सिद्धांत

एसफोटोवोल्टिक प्रभाव सिद्धांत द्वारा बनाई गई ओलर पैनल सौर विकिरण डी प्राप्त करती हैaytime और इसे विद्युत ऊर्जा उत्पादन में परिवर्तित करता है रात को। फोटोवोल्टिक प्रभाव एक ऐसी घटना है जिसमें एक अर्धचालक इलेक्ट्रोमोटिव बल उत्पन्न करता है जब यह प्रकाश द्वारा प्रकाशित होता है।

फोटोवोल्टिक प्रभाव को संदर्भित किया जाता हैपीहॉटोवोल्टिकइffect। पवन-सौर पूरक नियंत्रक उस घटना को संदर्भित करता है जिसमें एक असमान अर्धचालक के विभिन्न हिस्सों या अर्धचालक और धातु के संयोजन के बीच एक संभावित अंतर होता है। यह पहली बार इलेक्ट्रॉनों और प्रकाश ऊर्जा में विद्युत ऊर्जा में फोटॉन (हल्की तरंगों) को परिवर्तित करने की प्रक्रिया है; दूसरा, यह वोल्टेज बनाने की एक प्रक्रिया है। वोल्टेज के साथ, यह एक बांध बनाने की तरह है।ए वर्तमान के लूप का गठन किया जाएगा यदि दोनों जुड़े हुए हैं।

यदि प्रकाश पर विकिरणित हैसौर सेल और प्रकाश इंटरफ़ेस परत में अवशोषित होता है, पर्याप्त ऊर्जा वाला एक फोटॉन पी-प्रकार सिलिकॉन और एन-टाइप सिलिकॉन में सहसंयोजक बॉन्ड से इलेक्ट्रॉनों को उत्तेजित कर सकता है, ताकि एक इलेक्ट्रॉन-छेद जोड़ी उत्पन्न हो। इंटरफ़ेस परत के पास इलेक्ट्रॉनों और छेद को पुनर्संरचना से पहले अंतरिक्ष शुल्क के विद्युत क्षेत्र के प्रभाव से एक दूसरे से अलग किया जाएगा। इलेक्ट्रॉन सकारात्मक चार्ज एन क्षेत्र में जाते हैं और छेद नकारात्मक चार्ज पी क्षेत्र में जाते हैं। इंटरफ़ेस परत के चार्ज अलगाव के माध्यम से, पी और एन क्षेत्रों के बीच एक बाहरी परीक्षण योग्य वोल्टेज उत्पन्न किया जाएगा। इस समय, आप सिलिकॉन वेफर के दोनों किनारों पर इलेक्ट्रोड जोड़ सकते हैं और वोल्टमीटर से कनेक्ट कर सकते हैं। क्रिस्टलीय सिलिकॉन सौर कोशिकाओं के लिए, खुले सर्किट वोल्टेज का सामान्य मूल्य 0.5 से 0.6V है। प्रकाश द्वारा इंटरफ़ेस परत में उत्पन्न अधिक इलेक्ट्रॉन-छेद जोड़े, वर्तमान से अधिक।

सौर ऊर्जाहोगा भविष्य में सबसे साफ, सुरक्षित और विश्वसनीय ऊर्जा स्रोत। विकसित देश दीर्घकालिक योजना के लिए ऊर्जा क्रांति की मुख्य सामग्री के रूप में सौर ऊर्जा के विकास और उपयोग को ले रहे हैं।